中央大学 理工学部 電気電子情報通信工学科
 中央大学 大学院理工学研究科 電気電子情報通信工学専攻 竹内研究室

Presentation
 
   研究紹介資料
<NAND Flash Memory>
<Fe-NAND Flash Memory>
<SSD with Boost Converter>
 
  VLSIプレス発表
"70% Read Margin Enhancement by VTH Mismatch Self-Repair in 6T-SRAM with Asymmetric Pass Gate Transistor by Zero Additional Cost, Post-Process, Local Electron Injection" "A 60% Higher Write Speed, 4.2Gbps, 24-Channel 3D-Solid State Drive (SSD) with NAND Flash Channel Number Detector and Intelligent Program-Voltage Booster"
 
  IMWプレス発表
"Post-manufacturing, 17-times Acceptable Raw Bit Error Rate Enhancement, Dynamic Codeword Transition ECC Scheme for Highly Reliable Solid-State Drives, SSDs" "A 1.0V Power Supply, 9.5GByte/sec Write Speed, Single-Cell Self-Boost Program Scheme for Ferroelectric NAND Flash SSD"
"Low Power 3D-integrated Solid-State Drive (SSD) with Adaptive Voltage Generator"
 
  東京大学記者会見
「強誘電体NAND フラッシュメモリ、ソリッド・ステート・ドライブ(SSD)の書き込みを2 倍に高速化、電源遮断時のデータ破壊も阻止」
Fe-NAND Flash Memoryチップ写真はこちら
  
  東京大学記者会見
「ソリッド・ステート・ドライブ(SSD)の新技術:3次元化と新電源システムメモリの電力を約1/3まで低減、コスト低減にも有効」
3D-eco-SSD チップの写真はこちら
 
  Bilateral Workshop on Nanoscale Systems in Munich
"Emerging Nanoscale Non-volatile Semiconductor Memories"
 
  Univ. of Tokyo-INRIA-Ecole des Mines Paris-INRETS Joint Symposium in Paris
"Solid-State Drive(SSD) and Memory System Innovation"

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