中央大学 理工学部 電気電子情報通信工学科
 中央大学 大学院理工学研究科 電気電子情報通信工学専攻 竹内研究室

TOPICS
2016年度 2015年度 2014年度 2013年度 2012年度 2011年度 2010年度 2009年度
2008年度
2010年度
11/3/23 修士2年の田中丸周平君が東京大学総長賞を受賞しました。
11/2/24 ISSCCで発表したSSDに関するが各メディアで紹介されました。
  • JSTプレスリリース 「飛躍的にエラーを削減するSSDメモリの開発に成功-世界最速・毎秒12ギガビットの非接触インタフェースも実現-」
  • 日本経済新聞 「SSDの動作信頼性を95%高め,書き込み電力を43%削減するデータ変調技術,東京大学などが開発」
  • マイコミジャーナル 「ISSCC 2011 - 東大ら、SSDの高信頼化と非接触高速インタフェース技術を開発」
  • 日経エレクトロニクス 「ISSCC:NANDの32G~64Gビット品が量産レベルに,新メモリの発表も相次ぐ」
  • 11/2/20 ISSCCのUltra-Low Voltage VLSIs for Energy-Efficient Systemsで竹内准教授がオーガナイザをつとめます。
    11/1/22 竹内准教授が ゲートスタック研究会 で招待講演を行います。
    11/1/10 東大電気の同窓会HPに竹内准教授が コラムを寄稿しました。
    11/1/05 1月5日付の朝日新聞朝刊に、"外向き志向 メモリー研究 世界一へ" という記事で竹内准教授が紹介されました。
    10/12/22 強誘電体を用いたSRAMの論文 がJournal of Applied Physics(JJAP)に掲載されました。
    "A 0.5-V Six-Transistor Static Random Access Memory with Ferroelectric-Gate Field Effect Transistors"
    Shuhei Tanakamaru, Teruyoshi Hatanaka, Ryoji Yajima, Kousuke Miyaji, Mitsue Takahashi1, Shigeki Sakai1, and Ken Takeuchi
    10/12/16-17 「集積回路研究会(ICD)若手研究会」で本田(09年度卒論生)がチャージトラップSRAM、樋口がNV-RAM/NAND組み込みSSD、畑中が3次元SSD向け電源回路、田中丸がSSD向けECCの発表を行います。
    10/12/13 「応用物理、第79巻、第12号(2010)」にフラッシュメモリに関する解説を竹内准教授が執筆されました。
    10/11/30 外国系半導体商社協会(Distributors Association of Foreign Semiconductors. DAFS)で竹内准教授がSSDに関する講演を行います。
    10/11/24 2月のISSCCで竹内研が発表するSSDの論文が日経エレクトロニクスTech-Onに取り上げられました。
    10/11/17 グローバルCOEシンポジウム「セキュアライフ・エレクトロニクス」"半導体産業における新ビジネス創造"について竹内准教授が講演を行いました。
    10/11/13 SSDに関する論文がISSCC 2011に採択されました。
    "95%-Lower-BER 43%-Lower-Power Intelligent Solid-State Drive (SSD) with Asymmetric Coding and Stripe Pattern Elimination Algorithm"
    10/10/25 ワイヤレスSSDに関する記事が、日本経済新聞社の2010年度技術トレンド調査(第3回) 大学ランキングでトップになりました。
    10/10/19 International Workshop on Future Information Processing Technologies (IWFIPT) で講演を行います。
    Date  October 18-20, 2010 
    Place  Shiran Kaikan/Inamori Hall, Kyoto, Japan
    10/10/18 SSDに関する論文が日経エレクトロニクス10月18日号にReRAMを用いたSSDに関する記事が掲載されました。
    10/10/13 ReRAMの共同研究に関する記事が日経新聞と産経新聞に掲載されました。
    10/09/30 グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発でPRAMの共同研究を始めました。
    10/09/29 日経エレクトロニクスで竹内准教授がSSDに関する講義を行います。
    NEアカデミー 新世代ストレージ
    「SSDの使いこなし方」基礎から応用まで包括的に解説
    日時:2010年9月29日(水) 10:00~17:00 (開場9:30予定)
    10/09/29 JSSC(Journal of Solid-State Circuits)に論文が掲載されました。
    Teruyoshi Hatanaka, Ryoji Yajima, Takeshi Horiuchi, Shouyu Wang, Xizhen Zhang, Mitsue Takahashi, Shigeki Sakai and Ken Takeuchi,
    "Ferroelectric (Fe)-NAND Flash Memory with Batch Write Algorithm and Smart Data Store to the Non-volatile Page Buffer for Data Center Application High Speed and Highly Reliable Enterprise Solid-State Drives (SSD),"
    IEEE J. of Solid-State Circuits, vol. 45, no. 10, pp. 2156-2164, October 2010.
    10/09/27 Tech-On!で「ReRAMバッファを備えるSSD向けのECC技術」が紹介されました。
    10/09/24 SSDM2010に低電力SSDのECCに関する論文が採択されました。
    Place:The University of Tokyo, Tokyo, Japan
    Session G-7 Data Converter Circuits (Room 243, 12:15-12:30, September 24)
    G-7-4 "3.6-Times Higher Acceptable Raw Bit Error Rate, 97% Lower-Power, NV-RAM NAND & Integrated Solid-State Drives (SSDs) with Adaptive Codeword ECC" M. Fukuda (Univ. of Tokyo, Japan)
    10/09/24 2010 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2010) で竹内准教授が招待講演を行います。
    Place:The University of Tokyo, Tokyo, Japan
    Session E-6 FeRAM (Room 241, 9:00-10:20, September 24)
    E-6-2 "Current Status and Future Challenge of Fe-NAND/SRAM Cell Technology" K. Takeuchi (Univ. of Tokyo, Japan)
    10/09/20 CICCにSRAM論文が採択されました。
    "Elimination of Half Select Disturb in 8T-SRAM by Local Injected Electron Asymmetric Pass Gate Transistor"
    10/09/17 産総研と共同でPRAM(相変化メモリ)の研究を始めます。詳細
    10/09/15 応用物理学会で竹内准教授が発表を行います。
    9/15 シンポジウム ナノエレクトロニクス時代に向けたSRAM研究開発の最前線
    「極低電圧動作チャージトラップSRAM・強誘電体SRAM」
    「ウエハ作製後の6T-SRAMにおける電子の局所注入による非対称アクセストランジスタを用いた読み出し安定性の改善」
    10/09/03 SpringerのInside NAND Flash Memoriesの18章:Low power 3D-integrated SSDを竹内准教授が執筆しました。
    "18 Low power 3D-integrated SSD; K. Takeuchi."
    10/08/26
    -27
    ICD シリコン材料・デバイス研究会 (SDM)で竹内研究室の4名が発表を行います。
    日時:  2010年 8月26日(木) - 8月27日(金)
    テーマ: 低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用

    ・8月26日(木) 17:30-19:00 竹内准教授
    パネル討論「VLSI-MEMS融合で拓くグリーンテクノロジ」

    ・8月27日(金) 09:00-09:25 M2田中丸君
    「高信頼性SSD向けECC符号長の動的最適化手法」

    ・8月27日(金) 09:25-09:50 宮地特任助教
    「単一セル自己昇圧法による10V動作,書き込み速度9.5GB/sec強誘電体NANDフラッシュSSD」

    ・8月27日(金) 09:50-10:15 D1畑中君
    「NANDチャネル数検出回路・インテリジェント書き込み電圧発生回路を備えた、60%高速・4.2Gbps・24チャネル、3次元ソリッド・ステート・ドライブ(SSD)」

    ・8月27日(金) 13:45-14:10 宮地特任助教
    「プロセス工程後の局所的電子注入による非対称パスゲートトランジスタを有する6トランジスタ型SRAMとその読み出し時安定性の向上」
    10/08/09 竹内准教授が参加した直島ワークショップの記事が日経エレクトロニクス8月9日号に掲載されました。
    "サービスと科学の融合で,人類の未来を切り開く"
    10/08/03 ICD Summer Workshop 2010で竹内准教授が講演を行います。
    開催日: 2010/8/2(月) - 8/4(水)
    8/3 10:30 - 11:15 メモリ分野 の技術動向--竹内(東大)
    10/08/03 東大新聞8月3日号に竹内准教授のフラッシュメモリに関するインタビュー記事が掲載されました。
    "東大最前線 フラッシュメモリー 竹内健准教授(工学系研究科)"
    10/07/29 エルピーダメモリと共同で不揮発性RAMの研究を始めました。各社で報道記事が掲載されました。
    NEDOプレスリリース日刊工業新聞日本経済新聞
    産経新聞1産経新聞2
    10/07/26 日経エレクトロニクス 2010年7月26日号 にVLSIシンポジウムで発表した3次元SSDが紹介されました。
    "FPGAやメモリ,さらにSSD,3次元化に沸くLSI開発"
    10/07/09 半導体・集積回路技術シンポジウムで竹内准教授が招待講演を行います。
    開催日: 2010年7月8日(木)、9日(金)
    7/9 15:25-16:05 「グリーンITを目指した極低電力NANDフラッシュメモリ・SRAM」
    招待講演 竹内健
    10/07/05 VLSIシンポジウムで発表した論文に関して、各社で報道記事が掲載されました。

    [SSD]
    JST Press release, 日経エレクトロニクスTech-On, 日刊工業新聞,
    朝日新聞, 日本経済新聞, 日刊工業新聞(紙面)

    [SRAM]
    東大プレスリリース, 日本経済新聞(1), 日本経済新聞(2)
    日経エレクトロニクスTech-On(1), 日経エレクトロニクスTech-On(2),
    マイコミジャーナル, 日経エレクトロニクス2010年6月28日号, 日刊工業新聞(紙面)
    10/06/26 ニュートン8月号にフラッシュメモリについての記事が掲載されました。
    「テクノロジー・イラストレイティッド 手軽に情報を運ぶ フラッシュメモリ」
    協力: 竹内健
    10/06/22 シリコン材料・デバイス研究会(SDM)で宮地特任助教が講演します。

    日時 2010年 6月22日(火) 09:30 - 17:30

    議題 ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術(応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会、研究集会との合同開催)

    15:15-15:35 作製後における電子局在注入による非対称パスゲートトランジスタを有する6トランジスタ型SRAMとその読み出し時安定性の向上 ○宮地幸祐・田中丸周平・本田健太郎(東大)・宮野信治(半導体理工学研究センター)
    10/06/16
    -18
    ハワイで開催されるSymposium on VLSI Circuitsで竹内研究室の2名が発表をします。

    ・宮地特任助教 "70% Read Margin Enhancement by VTH Mismatch Self-Repair in 6T-SRAM with Asymmetric Pass Gate Transistor by Zero Additional Cost, Post-Process, Local Electron Injection" (6/16)

    ・D1畑中君 "A 60% Higher Write Speed, 4.2Gbps, 24-Channel 3D-Solid State Drive (SSD) with NAND Flash Channel Number Detector and Intelligent Program-Voltage Booster" (6/18)
    10/06/09 IMWで発表したFe-NANDとECCの論文がEE Times Japanに紹介されました。
    「強誘電体NANDの電源を大幅に下げる、次世代SSDの可能性を開く新技術」
    10/06/06 日本学術振興会特別研究員DC1(工学)に畑中君(D1)が選ばれました。
    畑中輝義、電子デバイス・電子機器
    「高信頼性・低消費電力 Ferroelectric-NANDフラッシュメモリの構築」
    東京大学 工学(系)・准教授・竹内
    10/06/05 VDECデザイナーズフォーラムで竹内准教授が講演しました。
    「ナノスケールメモリLSI:材料・デバイス・回路・システムを総動員し微細化を極限まで延命する」竹内 健 (東京大学 大学院工学系研究科、准教授)
    10/06/02 6/2(水)13:30-15:00に大学院入試説明会が行われます。(場所:東京大学工学部2号館241号講義室)
    15:00から2号館12階122B2号室で竹内研説明会を行います。
    10/05/31 日本信頼性学会誌「信頼性」にSSDに関する論文が掲載されました。
    竹内健, “ソリッド・ステート・ドライブ(SSD)の高信頼性化技術(High Reliability Technologies of Solid-State Drives (SSD))”, 信頼性, vol. 32, no.3, pp. 156-161 , 2010年5月号.
    10/05/19 日経エレクトロニクスTech-OnにIMWの2件の論文が取り上げられました。
    1. 「10Gバイト/秒で書き込めるSSDに道,東大らが1V駆動のNANDを開発」
    2. 「NANDの信頼性を10倍以上に高める誤り訂正技術,東大らが開発」
    10/05/16
    -19
    IMW(International Memory Workshop)で竹内研究室の3名が論文発表をします。

    ・竹内准教授 "Low Power 3D-integrated Solid-State Drive (SSD) with Adaptive Voltage Generator"(招待講演) (5/17)

    ・宮地特任助教 "A 1.0V Power Supply, 9.5GByte/sec Write Speed, Single-Cell Self-Boost Program Scheme for Ferroelectric NAND Flash SSD" (5/17)

    ・M2田中丸君 "Post-manufacturing, 17-times Acceptable Raw Bit Error Rate Enhancement, Dynamic Codeword Transition ECC Scheme for Highly Reliable Solid-State Drives, SSDs" (5/18)
    10/05/10 6月のVLSIシンポジウムで竹内研が発表するSRAMの論文が日経エレクトロニクスTech-Onに取り上げられました。
    "6月にハワイで開催するLSI回路技術の国際会議「VLSI Circuitsシンポ」の注目論文,13件を一挙紹介"
    10/04/28 電子ジャーナル主催Technical Seminar「フラッシュメモリ/SSD術・市場・業界動向 」にて竹内准教授が講演を行います。
    10/04/22 電子情報通信学会 集積回路研究会(ICD)で竹内研究室の2名が発表をします。
    竹内准教授はパネル討論を行います。

    ・M2田中丸君 "しきい値電圧自己調整機能による60%スタティック・ノイズ・マージン(SNM)増加, 32%アクティブ電力削減, 42%リーク電流削減の強誘電体FETを使用した6T-SRAM"

    ・D1畑中君 "データセンター用SSD向けFerroelectric(Fe)-NANDフラッシュメモリと不揮発性ページバッファ"
    10/04/08 サンフランシスコで開催されるMRS(Materials Research Society)で宮地特任助教が2件の招待講演を行います。

    ・"A Ferroelectric NAND Flash Memory for Low-Power and Highly Reliable Enterprise SSDs and a Ferroelectric 6T-SRAM for 0.5V Low-Power CPU and SoC"

    ・"Advanced NAND Flash Memory Devices and Solid-State Drives"
    10/04/01 竹内研ホームページをリニューアルしました。

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