中央大学 理工学部 電気電子情報通信工学科
 中央大学 大学院理工学研究科 電気電子情報通信工学専攻 竹内研究室

TOPICS
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2008年度
2016年度
16/10/20 ハフィントンポストに「 実はいいことづくし。 これからの時代に「女子が理工系に進むべき」7つの理由 」が掲載されました。
16/10/20 11/28-30 立命館大学 大阪いばらきキャンパスで開催される デザインガイア2016 -VLSI設計の新しい大地- において2件の論文を発表します。
  • 松井千尋・山賀祐典・杉山佑輔・竹内 健(中大)
    “半導体ストレージシステムにおけるSCM, MLC/TLC NANDフラッシュメモリの最適な構成の設計”
  • 鶴見洸太・田中誠大・竹内 健(中大)
    “IoTデバイス向けReRAM書き込み電圧生成回路の低電圧化およびコンパレータ回路のバイアス電流最適化手法”
  • 16/09/04 9/26-29 筑波 つくば国際会議場で開催される International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM) において2件の論文を発表します。
  • Chihiro Matsui, Yusuke Yamaga, Yusuke Sugiyama and Ken Takeuchi
    “8.9-times Performance Improvement by Tri-Hybrid Storage System with SCM and MLC/TLC NAND Flash Memory”
  • Yoshiaki Deguchi, Atsuro Kobayashi and Ken Takeuchi
    “47% Data-Retention Error Reduction of TLC NAND Flash Memory by Introducing Stress Relaxation Period with Round-Robin Wearleveling”
  • 9/12-15 スイス ローザンヌで開催される ESSCIRC-ESSDERC において1件の論文を発表します。
  • Masahiro Tanaka, Kota Tsurumi, Tomoya Ishii and Ken Takeuchi
    “Heterogeneously Integrated Program Voltage Generator for 1.0V Operation NAND Flash with Best Mix & Match of Standard CMOS Process and NAND Flash Process ”
  • 16/08/24 日経テクノロジーOnlineのコラムに「 エンジニアは専門家を目指すべきか? IoTの時代では多様な経験こそが武器になる 」が掲載されました。
    16/06/14 プレスリリースを行いました。
    メモリに記憶されるデータの特徴を判別して TLC フラッシュメモリの読み出し方法を最適化~読み出し可能回数が 6.7 倍に増加~クラウドデータセンタ記憶媒体への展開に期待
    16/06/14 日経テクノロジーOnlineに「 TLCフラッシュメモリーをデータセンターに 」が掲載されました。
    16/06/01 研究室のメンバー(People)を更新しました。
    16/05/16 プレスリリースを行いました。
    IoT のリアルタイムデータ処理に向けた、 高速フラッシュストレージ ~アプリケーションや書き換え回数に応じた動的な誤り訂正回路の 最適化により、最大 3 倍のデータ処理スピードの高速化に成功~
    16/04/17 6/13-17 ホノルル ヒルトン・ハワイアン・ビレッジで開催される IEEE Symposium on VLSI Technologies において1件の論文を発表します。
  • Atsuro Kobayashi, Tsukasa Tokutomi and Ken Takeuchi
    “Versatile TLC NAND Flash Memory Control to Reduce Read Disturb Errors by 85% and Extend Read Cycles by 6.7-times of Read-Hot and Cold Data for Cloud Data Centers”

  • 6/12-13 ホノルル ヒルトン・ハワイアン・ビレッジで開催される IEEE SILICON NANOELECTRONICS WORKSHOP 2016(SNW2016) において3件の論文を発表します。
  • Tomoaki Yamada, Chihiro Matsui and Ken Takeuchi
    “Optimal Combinations of SCM Characteristics and Non-volatile Cache Algorithms for High-Performance SCM/NAND Flash Hybrid SSD”
  • Hirofumi Takishita, Takahiro Onagi and Ken Takeuchi
    “Storage Class Memory Based SSD Performance in Consideration of Error Correction Capabilities and Write/Read Latencies”
  • Takashi Inose1, Tomoko Ogura Iwasaki1, Sheyang Ning1,2, Darlene Viviani2, Monte Manning2, X. M. Henry Huang2, Thomas Rueckes2 , and Ken Takeuchi1 1Chuo University, Tokyo, Japan, 2Nantero, Inc., Woburn, MA
    “Reliability Study of Carbon Nanotube Memory after Various Cycling Conditions”

  • 4/17-21 アメリカ パサデナで開催される IEEE International Reliability Physics Symposium(IRPS) において3件の論文を発表します。
  • Yoshiaki Deguchi, Tsukasa Tokutomi and Ken Takeuchi
    “System-Level Error Correction by Read-Disturb Error Model of 1Xnm TLC NAND Flash Memory for Read-Intensive Enterprise Solid-State Drives (SSDs)”
  • Tomonori Takahashi, Senju Yamazaki and Ken Takeuchi
    “Data-Retention Time Prediction of Long-term Archive SSD with Flexible-nLC NAND Flash”
  • Yoshio Nakamura, Tomoko Iwasaki and Ken Takeuchi
    “Machine Learning-Based Proactive Data Retention Error Screening in 1Xnm TLC NAND Flash”

  • 4/20-22 札幌 札幌市教育文化会館で開催される International Conference on Electronics Packaging(ICEP) において1件の論文を発表します。
  • Yusuke Sugiyama, Tomoaki Yamada, Chihiro Matsui, Takahiro Onagi and Ken Takeuchi
    “Application Dependency of 3-D Integrated Hybrid Solid-State Drive System with Through-Silicon Via Technology”
  • 16/04/01 研究室のメンバー(People)を更新しました。

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